RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Comparez
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Note globale
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Note globale
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
31
Autour de 16% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.1
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.6
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
31
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
19.1
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
15.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2432
3553
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB Comparaison des RAM
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
TwinMOS 9DECCO4E-TATP 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link