RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Comparez
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Note globale
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Note globale
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
49
Autour de 47% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.9
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.5
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
12800
10600
Autour de 1.21% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
26
49
Vitesse de lecture, GB/s
13.9
10.1
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
7.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
10600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2432
2070
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB Comparaison des RAM
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9965596-019.B01G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kllisre 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link