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Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Comparez
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Note globale
Kingston KVR533D2N4 512MB
Note globale
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston KVR533D2N4 512MB
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Raisons de considérer
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
75
Autour de -295% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.5
1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.5
1,672.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
4200
Autour de 4.05 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
75
19
Vitesse de lecture, GB/s
1,943.5
20.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,672.1
15.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
4200
17000
Other
Description
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
301
3665
Kingston KVR533D2N4 512MB Comparaison des RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
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