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Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Comparez
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Note globale
Kingston KVR533D2N4 512MB
Note globale
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Kingston KVR533D2N4 512MB
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Raisons de considérer
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
75
Autour de -150% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.8
1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.5
1,672.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
4200
Autour de 4.05 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
75
30
Vitesse de lecture, GB/s
1,943.5
17.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,672.1
13.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
4200
17000
Other
Description
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
301
3273
Kingston KVR533D2N4 512MB Comparaison des RAM
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Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB Comparaison des RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMT64GX4M4C3200C16 16GB
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Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
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