RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Comparez
Kingston KVR533D2N4 512MB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Note globale
Kingston KVR533D2N4 512MB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston KVR533D2N4 512MB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
75
Autour de -150% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.1
1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.0
1,672.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
4200
Autour de 4.05 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
75
30
Vitesse de lecture, GB/s
1,943.5
17.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,672.1
13.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
4200
17000
Other
Description
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
301
3014
Kingston KVR533D2N4 512MB Comparaison des RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT51264BA160B.M16F 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Qimonda 72T256420HFD3SA 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link