RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Comparez
Kingston KVR533D2N4 512MB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Note globale
Kingston KVR533D2N4 512MB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston KVR533D2N4 512MB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
75
Autour de -168% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.6
1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.4
1,672.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
4200
Autour de 4.05 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
75
28
Vitesse de lecture, GB/s
1,943.5
18.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,672.1
15.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
4200
17000
Other
Description
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
301
3519
Kingston KVR533D2N4 512MB Comparaison des RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link