RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Comparez
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Note globale
Kingston KVR533D2N4 512MB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston KVR533D2N4 512MB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
75
Autour de -188% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.8
1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.5
1,672.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
4200
Autour de 5.07 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
75
26
Vitesse de lecture, GB/s
1,943.5
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,672.1
13.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
4200
21300
Other
Description
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
301
2880
Kingston KVR533D2N4 512MB Comparaison des RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB Comparaison des RAM
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Inmos + 256MB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link