RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Comparez
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Note globale
Kingston KVR533D2N4 512MB
Note globale
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston KVR533D2N4 512MB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
75
Autour de -188% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.7
1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.2
1,672.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
4200
Autour de 4.57 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston KVR533D2N4 512MB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
75
26
Vitesse de lecture, GB/s
1,943.5
13.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,672.1
10.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
4200
19200
Other
Description
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15
Timings / Vitesse d'horloge
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
301
2594
Kingston KVR533D2N4 512MB Comparaison des RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Mushkin 994050 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link