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Kingston KVR533D2N4 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Comparez
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Note globale
Kingston KVR533D2N4 512MB
Note globale
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Kingston KVR533D2N4 512MB
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Raisons de considérer
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
75
Autour de -226% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.2
1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.0
1,672.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
4200
Autour de 4.57 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston KVR533D2N4 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
75
23
Vitesse de lecture, GB/s
1,943.5
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,672.1
13.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
4200
19200
Other
Description
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
301
3004
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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