RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Comparez
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Note globale
Kingston KVR533D2N4 512MB
Note globale
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston KVR533D2N4 512MB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
71
75
Autour de -6% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.5
1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.0
1,672.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
4200
Autour de 5.07 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston KVR533D2N4 512MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
75
71
Vitesse de lecture, GB/s
1,943.5
14.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,672.1
8.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
4200
21300
Other
Description
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
301
1863
Kingston KVR533D2N4 512MB Comparaison des RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link