RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Comparez
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Note globale
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Note globale
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
50
69
Autour de 28% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5
16.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.3
1,905.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
50
69
Vitesse de lecture, GB/s
5,143.3
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,905.1
8.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
855
1980
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link