RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Comparez
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Note globale
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Note globale
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5
13
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
50
Autour de -79% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.2
1,905.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
50
28
Vitesse de lecture, GB/s
5,143.3
13.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,905.1
9.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
855
2586
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link