RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Comparez
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Note globale
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Note globale
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5
16.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
50
Autour de -61% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.9
1,905.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
50
31
Vitesse de lecture, GB/s
5,143.3
16.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,905.1
12.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
855
3120
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link