RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Comparez
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Note globale
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5
15.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
50
Autour de -117% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.0
1,905.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
50
23
Vitesse de lecture, GB/s
5,143.3
15.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,905.1
9.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
855
2458
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19C 4GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19B 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link