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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Comparez
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Note globale
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5
25.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
50
Autour de -100% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
19.5
1,905.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
50
25
Vitesse de lecture, GB/s
5,143.3
25.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,905.1
19.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
855
4167
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB Comparaison des RAM
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G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
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Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
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