RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Comparez
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Note globale
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5
11.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
50
Autour de -52% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.3
1,905.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
50
33
Vitesse de lecture, GB/s
5,143.3
11.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,905.1
8.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
855
2227
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB Comparaison des RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link