RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Comparez
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Note globale
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5
16.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
50
Autour de -52% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.4
1,905.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
50
33
Vitesse de lecture, GB/s
5,143.3
16.9
Vitesse d'écriture, GB/s
1,905.1
10.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
855
3035
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3466C16 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link