RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Comparez
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB vs G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Note globale
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
40
55
Autour de 27% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
21
14.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.7
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
55
Vitesse de lecture, GB/s
14.4
21.0
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
11.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2455
2457
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB Comparaison des RAM
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link