RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Comparez
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Note globale
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
59
Autour de -136% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
1,855.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
25
Vitesse de lecture, GB/s
4,168.0
15.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,855.7
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
680
2740
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Comparaison des RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Qimonda 72T256521EFD3SC2 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link