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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Comparez
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Note globale
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
14.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
59
Autour de -111% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.4
1,855.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
59
28
Vitesse de lecture, GB/s
4,168.0
14.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,855.7
11.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
680
2481
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB Comparaison des RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB Comparaison des RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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