RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Comparez
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Note globale
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Note globale
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
101
Autour de 67% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.8
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
6.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
19200
Autour de 1.33% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
101
Vitesse de lecture, GB/s
17.8
13.9
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
6.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
19200
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3285
1311
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link