RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Comparez
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Note globale
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Note globale
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
38
Autour de 13% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.8
12.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
9.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
38
Vitesse de lecture, GB/s
17.8
12.9
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
9.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3285
2687
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link