RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Comparez
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Note globale
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Note globale
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
38
Autour de 13% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.8
14.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
11.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
38
Vitesse de lecture, GB/s
17.8
14.3
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
11.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3285
2839
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
AMD R5S34G1601U1S 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link