RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Comparez
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Note globale
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Note globale
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.8
17.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
33
Autour de -43% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.2
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
23
Vitesse de lecture, GB/s
17.8
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
14.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3285
3299
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Mushkin 991586 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link