RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Comparez
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Note globale
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Note globale
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
21300
Autour de 1.2% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
33
Autour de -22% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.5
17.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.3
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
27
Vitesse de lecture, GB/s
17.8
18.5
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
15.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
21300
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3285
3731
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link