RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Comparez
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Note globale
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Note globale
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.8
17.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
21300
Autour de 1.2% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
33
Autour de -22% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.0
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
27
Vitesse de lecture, GB/s
17.8
17.3
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
13.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
21300
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3285
2735
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB Comparaison des RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905428-435.A00LF 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link