RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Comparez
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Note globale
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
39
Autour de 15% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.8
15.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
12.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
39
Vitesse de lecture, GB/s
17.8
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
25600
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3285
2958
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB Comparaison des RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link