RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Comparez
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Note globale
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.8
17.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
33
Autour de -18% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.6
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
28
Vitesse de lecture, GB/s
17.8
17.4
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
14.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3285
3563
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link