RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Comparez
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Note globale
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
33
Autour de -10% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.2
17.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.5
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
30
Vitesse de lecture, GB/s
17.8
18.2
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
14.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3285
3496
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Jinyu 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link