RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Comparez
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Note globale
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Note globale
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
33
Autour de -22% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
22.7
17.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
18.5
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
27
Vitesse de lecture, GB/s
17.8
22.7
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
18.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3285
4177
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
INTENSO 5641152 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Corsair CM3X2G1600C9 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link