RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Comparez
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Note globale
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Note globale
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.8
15.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
11.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
33
Autour de -32% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
25
Vitesse de lecture, GB/s
17.8
15.1
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
11.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3285
2914
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Apacer Technology GD2.1542WS.003 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link