RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Comparez
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Note globale
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Note globale
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
103
Autour de 68% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.8
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
21300
Autour de 1.2% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
103
Vitesse de lecture, GB/s
17.8
13.9
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
7.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
21300
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3285
1520
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK32GX4M4E4133C19 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link