RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Comparez
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Note globale
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Note globale
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
67
Autour de 51% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.8
17.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
9.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
19200
Autour de 1.33% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
67
Vitesse de lecture, GB/s
17.8
17.1
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
9.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
19200
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3285
2027
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link