RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Comparez
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Note globale
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Note globale
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
66
Autour de 50% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.8
16.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
21300
Autour de 1.2% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
66
Vitesse de lecture, GB/s
17.8
16.4
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
6.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
21300
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3285
1737
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link