RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Comparez
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Note globale
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Note globale
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
34
Autour de 3% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.8
15.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
12.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
34
Vitesse de lecture, GB/s
17.8
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
12.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3285
2910
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
INTENSO M418039 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link