RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Comparez
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Note globale
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Note globale
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
57
Autour de 42% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
9.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
21300
Autour de 1.2% bande passante supérieure
Raisons de considérer
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.1
17.8
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
57
Vitesse de lecture, GB/s
17.8
20.1
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
9.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
21300
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3285
2328
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link