RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Comparez
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Note globale
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Note globale
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
57
Autour de 49% latence réduite
Raisons de considérer
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.8
10.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.7
7.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
8500
Autour de 3.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
57
Vitesse de lecture, GB/s
10.5
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
7.1
13.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
25600
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1425
2792
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Comparaison des RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link