RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Comparez
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Note globale
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Note globale
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
29
Autour de -4% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13
10.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.2
7.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
8500
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
28
Vitesse de lecture, GB/s
10.5
13.0
Vitesse d'écriture, GB/s
7.1
9.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
17000
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1425
2586
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Comparaison des RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link