RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Comparez
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Note globale
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
38
Autour de 24% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.1
10.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.8
7.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
8500
Autour de 2.51 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
38
Vitesse de lecture, GB/s
10.5
14.1
Vitesse d'écriture, GB/s
7.1
8.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
21300
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1425
2483
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Comparaison des RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Kingston ASU1600S11-4G-EDEG 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Mushkin 991586 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link