RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Comparez
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Note globale
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
79
Autour de 63% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.1
10.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.3
7.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
8500
Autour de 2.51 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
79
Vitesse de lecture, GB/s
10.5
14.1
Vitesse d'écriture, GB/s
7.1
7.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
21300
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1425
1651
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Comparaison des RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link