RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Comparez
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Note globale
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
29
Autour de -16% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.7
10.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.4
7.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
8500
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
25
Vitesse de lecture, GB/s
10.5
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
7.1
13.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
17000
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1425
3077
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Comparaison des RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link