RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Comparez
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Note globale
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
29
Autour de -26% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.8
10.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.8
7.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
8500
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
23
Vitesse de lecture, GB/s
10.5
17.8
Vitesse d'écriture, GB/s
7.1
12.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
17000
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1425
3091
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Comparaison des RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link