RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Comparez
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Note globale
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Note globale
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
29
Autour de -26% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.1
10.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
7.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
8500
Autour de 2.26 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
23
Vitesse de lecture, GB/s
10.5
17.1
Vitesse d'écriture, GB/s
7.1
12.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
19200
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1425
2960
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Comparaison des RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link