RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Comparez
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Note globale
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Note globale
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
42
Autour de 31% latence réduite
Raisons de considérer
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.9
10.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.0
7.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
8500
Autour de 2.51 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
42
Vitesse de lecture, GB/s
10.5
13.9
Vitesse d'écriture, GB/s
7.1
11.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
21300
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1425
2034
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Comparaison des RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link