RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Comparez
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Note globale
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Note globale
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
47
Autour de 38% latence réduite
Raisons de considérer
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
11.6
10.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.4
7.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
8500
Autour de 2.26 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
47
Vitesse de lecture, GB/s
10.5
11.6
Vitesse d'écriture, GB/s
7.1
8.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8500
19200
Other
Description
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1425
2537
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Comparaison des RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link