RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Comparez
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Note globale
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Note globale
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
40
Autour de -54% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.9
13.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.2
8.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
26
Vitesse de lecture, GB/s
13.6
18.9
Vitesse d'écriture, GB/s
8.3
16.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2035
3857
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081 4GB
SK Hynix HMT351U6BFR8C-H9 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
AMD R744G2133U1S 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link