RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Comparez
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Note globale
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
40
44
Autour de 9% latence réduite
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.3
13.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.8
8.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
44
Vitesse de lecture, GB/s
13.6
17.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.3
10.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2035
2523
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link