RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Comparez
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Note globale
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
40
Autour de -3% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.1
13.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.0
8.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
39
Vitesse de lecture, GB/s
13.6
14.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.3
11.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2035
2940
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB Comparaison des RAM
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NF-CG 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link