RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Comparez
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Note globale
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
40
Autour de -33% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
19.3
13.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.5
8.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
30
Vitesse de lecture, GB/s
13.6
19.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.3
15.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2035
3701
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Comparaison des RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link