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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Comparez
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Note globale
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Note globale
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
40
54
Autour de 26% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.6
10.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.5
8.3
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
40
54
Vitesse de lecture, GB/s
13.6
10.4
Vitesse d'écriture, GB/s
8.3
8.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2035
2226
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
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Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
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Kingston 9905744-062.A00G 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
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